打印页面
ZXMS6004DN8-13
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.35 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号ZXMS6004DN8-13
库存编号3127508RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
电流, Id 连续1.2A
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道1.2A
在电阻RDS（上）0.35ohm
连续漏极电流 Id P沟道1.2A
漏源通态电阻N沟道0.35ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.35ohm
Rds(on)测试电压5V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.21W
耗散功率N沟道1.21W
耗散功率P沟道1.21W
工作温度最高值150°C
产品范围IntelliFET Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
电流, Id 连续
1.2A
连续漏极电流 Id N沟道
1.2A
连续漏极电流 Id P沟道
1.2A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
5V
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
1.21W
耗散功率P沟道
1.21W
产品范围
IntelliFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
在电阻RDS（上）
0.35ohm
漏源通态电阻N沟道
0.35ohm
漏源导通电阻P沟道
0.35ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
1.21W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074