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FDMC4435BZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 18 A, 0.02 ohm, MLP, 表面安装
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| 1000+ | CNY4.100 (CNY4.633) |
| 2500+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC4435BZ
库存编号2083248
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.02ohm
晶体管封装类型MLP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.9V
功率耗散31W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMC4435BZ 是一款P沟道MOSFET, 采用PowerTrench®工艺制造。该器件最大程度地降低导通状态电阻, 适用于负载开关应用, 例如便携式电池组。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- 100%经过UIL测试
- 7kV典型HBM ESD保护等级
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
MLP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.9V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000086