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FDMC6679AZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 20 A, 0.0086 ohm, MLP, 表面安装
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| 9000+ | CNY4.080 (CNY4.6104) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC6679AZ
库存编号2083251
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻0.0086ohm
晶体管封装类型MLP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散41W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMC6679AZ是一款P沟道MOSFET, 采用PowerTrench® 工艺制造。该器件设计可以减少负载开关应用中的损耗。采用最新的硅和封装技术, 具有非常低的RDS (ON), 以及良好的ESD保护。适用于负载开关和电池组应用。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- 8kV典型HBM ESD保护等级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
MLP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0086ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005