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FDMC6679AZ
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 20 A, 8600 µohm, MLP, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDMC6679AZ
库存编号2083251RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续20A
漏源接通状态电阻8600µohm
晶体管封装类型MLP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散41W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDMC6679AZ是一款P沟道MOSFET, 采用PowerTrench® 工艺制造。该器件设计可以减少负载开关应用中的损耗。采用最新的硅和封装技术, 具有非常低的RDS (ON), 以及良好的ESD保护。适用于负载开关和电池组应用。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- 8kV典型HBM ESD保护等级
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
MLP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
41W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000241