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FDN352AP
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN352AP
库存编号2438446
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续1.3A
漏源接通状态电阻0.18ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDN352AP is a P-channel Logic Level MOSFET produced using advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss is needed in a very small outline surface mount package.
- High performance trench technology for extremely low RDS (on)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
1.3A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.18ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001