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FDS4935A
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 7 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4935A
库存编号2438451
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道7A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道1.6W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.6W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000221