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FDS4935A
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 7 A
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS4935A
库存编号1467981RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道-
电流, Id 连续7A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.023ohm
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道7A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.023ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数8引脚
功耗 Pd1.6W
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
FDS4935A是先进的PowerTrench工艺的双P沟道PowerTrench® MOSFET坚固的栅极版本。它已被优化用于需要宽范围栅极驱动电压等级（4.5V至20V）的电源管理应用。它适用于负载开关和电池保护应用。
- 快速开关速度
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
- ±20V栅极-源极电压
- -7A连续漏极电流
- -30A脉冲漏电流
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
7A
在电阻RDS（上）
0.023ohm
连续漏极电流 Id P沟道
7A
漏源通态电阻N沟道
-
漏源导通电阻P沟道
0.023ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
1.6W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
-
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
-
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
175°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
FDS4935A 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000335