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FDS6912A
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6 A, 0.019 ohm
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|---|---|
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| 500+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 1000+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS6912A
库存编号1095019
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.019ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.6W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS6912A is a 30V Dual N-channel logic level PowerTrench® MOSFET produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. It is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V gate source voltage (VGSS)
- 78°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 40°C/W Thermal resistance, junction to case
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.019ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000223