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FDS89141
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDS89141
库存编号2083349
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道3.5A
连续漏极电流 Id P沟道3.5A
漏源通态电阻N沟道0.047ohm
漏源导通电阻P沟道0.047ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道31W
耗散功率P沟道31W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDS89141 is a dual N-channel shielded gate MOSFET produced using advanced PowerTrench® process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for RDS (ON), switching performance and ruggedness. The device is suitable for use with synchronous rectifier and primary switch for bridge topology applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 18A Pulsed drain current
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
3.5A
漏源导通电阻P沟道
0.047ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
31W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
3.5A
漏源通态电阻N沟道
0.047ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
31W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272