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FDV304P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDV304P
库存编号2438464
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续460mA
漏源接通状态电阻1.1ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值860mV
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
The FDV304P is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize ON-state resistance at low gate drive conditions. It is designed especially for application in battery power applications. It has excellent ON-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Gate-source zener for ESD ruggedness, <gt/>6kV human body mode
- Compact industry standard surface-mount package
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
460mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
1.1ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
860mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001