打印页面
FQB47P06TM-AM002
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQB47P06TM-AM002
库存编号2438473
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续47A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散160W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FQB47P06TM_AM002 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 84nC typical low gate charge
- 320pF typical low Crss
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
47A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
FQB47P06TM-AM002 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001