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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FQB47P06TM-AM002
库存编号1495279RL
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续47A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散160W
针脚数2引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FQB47P06TM_AM002 is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 84nC typical low gate charge
- 320pF typical low Crss
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
47A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
2引脚
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (27-Jun-2024)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001733