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2N7002DWH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 50+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 250+ | CNY0.745 (CNY0.8418) |
| 1000+ | CNY0.449 (CNY0.5074) |
| 7500+ | CNY0.361 (CNY0.4079) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号2N7002DWH6327XTSA1
库存编号2443473
也称为2N7002DW H6327, SP000917596
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道300mA
连续漏极电流 Id P沟道300mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
漏源导通电阻P沟道1.6ohm
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
2N7002DW H6327是一款双N沟道OptiMOS™小信号晶体管, 设计用于DC-DC转换器, eMobility, 板载充电器, 电信应用等.
- 增强模式
- 逻辑电平
- 雪崩级别
- 快速开关
- 无卤素
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
300mA
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
2N7002DWH6327XTSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000635