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2N7002DWH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
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|---|---|
| 50+ | CNY1.040 (CNY1.1752) |
| 250+ | CNY0.745 (CNY0.8418) |
| 1000+ | CNY0.449 (CNY0.5074) |
| 7500+ | CNY0.361 (CNY0.4079) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号2N7002DWH6327XTSA1
库存编号2443473RL
也称为2N7002DW H6327, SP000917596
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续300mA
漏源电压Vds P沟道60V
在电阻RDS（上）1.6ohm
连续漏极电流 Id N沟道300mA
连续漏极电流 Id P沟道300mA
漏源通态电阻N沟道1.6ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道1.6ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值2.1V
功耗 Pd500mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
2N7002DW H6327是一款双N沟道OptiMOS™小信号晶体管, 设计用于DC-DC转换器, eMobility, 板载充电器, 电信应用等.
- 增强模式
- 逻辑电平
- 雪崩级别
- 快速开关
- 无卤素
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
300mA
在电阻RDS（上）
1.6ohm
连续漏极电流 Id P沟道
300mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
漏源通态电阻N沟道
1.6ohm
漏源导通电阻P沟道
1.6ohm
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
500mW
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
2N7002DWH6327XTSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000635