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AUIRF7316QTR
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号AUIRF7316QTR
库存编号2725789RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001518472
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续4.9A
连续漏极电流 Id N沟道4.9A
在电阻RDS（上）0.042ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.9A
漏源通态电阻N沟道0.042ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.042ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值3V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
AUIRF7316QTR 的替代之选
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技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
4.9A
连续漏极电流 Id P沟道
4.9A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
4.9A
在电阻RDS（上）
0.042ohm
漏源通态电阻N沟道
0.042ohm
漏源导通电阻P沟道
0.042ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074