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BFP620H7764XTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, SOT-343
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| 100+ | CNY1.900 (CNY2.147) |
| 500+ | CNY1.810 (CNY2.0453) |
| 1000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 5000+ | CNY1.570 (CNY1.7741) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFP620H7764XTSA1
库存编号2480671
也称为BFP 620 H7764, SP000745302
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压2.3V
过渡频率65GHz
功率耗散185mW
连续集电极电流80mA
晶体管封装类型SOT-343
针脚数4引脚
直流电流增益hFE最小值110hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BFP 620 H7764 is a low-noise Bipolar RF Transistor provides outstanding performance for a wide range of wireless applications. It is designed based on Infineon's reliable high volume silicon germanium technology. The device is ideal for CDMA and WLAN applications.
- High linearity transistor
- Collector design provides high linearity of 14.5dBm OP1dB for low voltage application
- Maximum stable gain
- Outstanding noise figure
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
65GHz
连续集电极电流
80mA
针脚数
4引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
2.3V
功率耗散
185mW
晶体管封装类型
SOT-343
直流电流增益hFE最小值
110hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000048