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BFR740L3RHE6327XTSA1
晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 47 GHz, 160 mW, 40 mA, TSLP
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| 10+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 100+ | CNY2.690 (CNY3.0397) |
| 500+ | CNY2.580 (CNY2.9154) |
| 1000+ | CNY2.550 (CNY2.8815) |
| 5000+ | CNY2.530 (CNY2.8589) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFR740L3RHE6327XTSA1
库存编号2480686
也称为BFR 740L3RH E6327, SP000252393
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压4V
过渡频率47GHz
功率耗散160mW
连续集电极电流40mA
晶体管封装类型TSLP
针脚数3引脚
直流电流增益hFE最小值160hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BFR 740L3RH E6327 is a NPN wideband RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. It provides a transition frequency fT of 42GHz and is suited for low voltage applications from VHF to 12GHz. Due to its low power consumption the device is very energy efficient and well suited for mobile applications. It is housed in a very thin small leadless package ideal for modules.
- Very low-noise transistor
- High power gain
- Halogen-free
技术规格
晶体管极性
NPN
过渡频率
47GHz
连续集电极电流
40mA
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
4V
功率耗散
160mW
晶体管封装类型
TSLP
直流电流增益hFE最小值
160hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006