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BFS483H6327XTSA1
晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
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| 10+ | CNY2.710 (CNY3.0623) |
| 100+ | CNY2.290 (CNY2.5877) |
| 500+ | CNY2.210 (CNY2.4973) |
| 1000+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 5000+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BFS483H6327XTSA1
库存编号2480691
也称为BFS 483 H6327, SP000750464
技术数据表
晶体管极性双NPN
最大集电极发射电压12V
过渡频率8GHz
功率耗散450mW
连续集电极电流65mA
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
直流电流增益, Hfe 最小值70hFE
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
技术规格
晶体管极性
双NPN
过渡频率
8GHz
连续集电极电流
65mA
针脚数
6引脚
晶体管安装
表面安装
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
12V
功率耗散
450mW
晶体管封装类型
SOT-363
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000004