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BSC050NE2LSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 58 A, 0.005 ohm, TDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC050NE2LSATMA1
库存编号2443420RL
也称为BSC050NE2LS, SP000756340
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续58A
漏源接通状态电阻0.005ohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散28W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSC050NE2LS is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. Ultra low gate and output charge, together with lowest ON-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator applications. It is available in half-bridge configuration. It minimizes EMI in the system making external snubber networks obsolete and the products easy to design-in.
- Save space with smallest packages like CanPAK™
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
58A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
28W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.005ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000159