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BSC159N10LSF G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 63 A, 0.0159 ohm, PG-TDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY17.970 (CNY20.3061) |
| 10+ | CNY12.970 (CNY14.6561) |
| 100+ | CNY10.510 (CNY11.8763) |
| 500+ | CNY7.200 (CNY8.136) |
| 1000+ | CNY6.440 (CNY7.2772) |
| 5000+ | CNY6.080 (CNY6.8704) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSC159N10LSF G
库存编号1775473
也称为SP000379614
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续63A
漏源接通状态电阻0.0159ohm
晶体管封装类型PG-TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.85V
功率耗散114W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
产品概述
BSC159N10LSF G 是一款100V N沟道功率MOSFET, 适用于高效率高功率密度SMPS应用。与其他晶体管相比, 这款MOSFET的RDS (导通)和FOM (品质因数)均降低了30％。OptiMOS™ MOSFET具有业界超低的RDS (on)。该器件非常适合高频开关应用, 以及DC-DC转换器。
- 优秀的开关性能
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63A
晶体管封装类型
PG-TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
114W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0159ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.85V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000141