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BSL308PEH6327XTSA1
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSL308PEH6327XTSA1
库存编号2725818RL
也称为BSL308PE H6327, SP001101004
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.062ohm
连续漏极电流 Id N沟道2A
连续漏极电流 Id P沟道2A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.062ohm
漏源导通电阻P沟道0.062ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型TSOP
阈值栅源电压最大值1.5V
针脚数6引脚
功耗 Pd500mW
耗散功率N沟道500mW
耗散功率P沟道500mW
工作温度最高值150°C
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ P3 small-signal-transistor
- Dual P-channel
- Enhancement mode
- Logic level (4.5V rated)
- ESD protected
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
2A
在电阻RDS（上）
0.062ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2A
漏源通态电阻N沟道
0.062ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.5V
功耗 Pd
500mW
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
OptiMOS P3 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.062ohm
晶体管封装类型
TSOP
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001