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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO604NS2XUMA1
库存编号2725821RL
产品范围OptiMOS Series
也称为BSO604NS2, SP000396268
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds55V
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
电流, Id 连续5A
在电阻RDS(上)0.031ohm
连续漏极电流 Id N沟道5A
连续漏极电流 Id P沟道5A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.031ohm
漏源导通电阻P沟道0.031ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.6V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
产品概述
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
55V
漏源电压Vds P沟道
55V
在电阻RDS(上)
0.031ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5A
漏源通态电阻N沟道
0.031ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
OptiMOS Series
汽车质量标准
AEC-Q101
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
55V
电流, Id 连续
5A
连续漏极电流 Id N沟道
5A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.031ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000265