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BSO615CGHUMA1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.07 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO615CGHUMA1
库存编号2480777
也称为BSO615C G, SP000216311
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道3.1A
连续漏极电流 Id P沟道3.1A
漏源通态电阻N沟道0.07ohm
漏源导通电阻P沟道0.07ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSO615C G is a SIPMOS® dual N/P-channel enhancement-mode Small Signal Transistor for DC-to-DC converter and on-board charger applications. It is a complementary MOSFET with n-channel and a p-channel power transistor within the same package.
- Avalanche rated
- Logic level
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
3.1A
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.1A
漏源通态电阻N沟道
0.07ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005