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BSO615CGHUMA1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.07 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSO615CGHUMA1
库存编号2480777RL
也称为BSO615C G, SP000216311
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续3.1A
连续漏极电流 Id N沟道3.1A
在电阻RDS（上）0.07ohm
连续漏极电流 Id P沟道3.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.07ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.07ohm
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.6V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
3.1A
连续漏极电流 Id P沟道
3.1A
漏源通态电阻N沟道
0.07ohm
漏源导通电阻P沟道
0.07ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
3.1A
在电阻RDS（上）
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Indonesia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005