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BSZ042N06NSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 40 A, 0.0042 ohm, TSDSON, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.790 (CNY11.0627) |
| 50+ | CNY6.750 (CNY7.6275) |
| 250+ | CNY5.720 (CNY6.4636) |
| 1000+ | CNY4.860 (CNY5.4918) |
| 3000+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品概述
BSZ042N06NS是一款OptiMOS™N沟道功率MOSFET, 设计用于开关模式电源 (SMPS)的同步整流进. 此外, 这些器件是广泛的工业应用的理想选择, 包括太阳能微型逆变器与快速开关DC至DC转换器.
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
- MSL1级别
- RDS (ON)比替代设备低40％
- 与同类设备相比, FOM提高了40％
- 100％经过雪崩测试
- 优秀的热阻
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
- 由于扩大了源互连, 因此提高了焊点的可靠性
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSZ042N06NSATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003