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BSZ042N06NSATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ042N06NSATMA1
库存编号2443426RL
也称为BSZ042N06NS, SP000917418
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续40A
漏源接通状态电阻4200µohm
晶体管封装类型TSDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
BSZ042N06NS是一款OptiMOS™N沟道功率MOSFET, 设计用于开关模式电源 (SMPS)的同步整流进. 此外, 这些器件是广泛的工业应用的理想选择, 包括太阳能微型逆变器与快速开关DC至DC转换器.
- 最高的系统效率
- 需要较少的并联
- 增加功率密度
- 非常低的过冲电压
- MSL1级别
- RDS (ON)比替代设备低40％
- 与同类设备相比, FOM提高了40％
- 100％经过雪崩测试
- 优秀的热阻
- 目标应用符合JEDEC标准
- 无卤素, 绿色设备
- 由于扩大了源互连, 因此提高了焊点的可靠性
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
TSDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
4200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BSZ042N06NSATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003