打印页面
BSZ215CHXTMA1
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号BSZ215CHXTMA1
库存编号3294674RL
产品范围OptiMOS 2 Series
也称为BSZ215C H, SP001277210
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续5.1A
漏源电压Vds P沟道20V
在电阻RDS（上）0.041ohm
连续漏极电流 Id N沟道5.1A
连续漏极电流 Id P沟道5.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.041ohm
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.041ohm
晶体管封装类型TSDSON
阈值栅源电压最大值1.1V
功耗 Pd2.5W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.5W
耗散功率P沟道2.5W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 2 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
5.1A
在电阻RDS（上）
0.041ohm
连续漏极电流 Id P沟道
5.1A
漏源通态电阻N沟道
0.041ohm
漏源导通电阻P沟道
0.041ohm
阈值栅源电压最大值
1.1V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.5W
产品范围
OptiMOS 2 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.1A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
TSDSON
功耗 Pd
2.5W
耗散功率N沟道
2.5W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000109