打印页面
FF150R12RT4HOSA1
IGBT模块, 双 [半桥], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
技术规格
IGBT配置
双 [半桥]
集电极-发射极饱和电压
1.75V
工作温度最高值
150°C
IGBT端接
螺柱
IGBT技术
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
产品范围
-
连续集电极电流
150A
功率耗散
790W
晶体管封装类型
Module
最大集电极发射电压
1.2kV
晶体管安装
面板
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Slovak Republic
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85359000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.1642