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产品概述
IKW40N120H3是一款1200V IGBT, 带有快速恢复反并联二极管, 设计用于在频率低于70kHz的应用中替代平面MOSFET。该系列产品的关断开关特性与MOSFET相似, 因此可实现低关断损耗。分立式IGBT非常适用于硬开关应用, 软开关应用, 以及其他谐振应用。
- 低开关损耗, 高效率
- 快速开关性能, 低EMI辐射
- 可选择低栅极电阻 (低至55Ω), 同时保持出色的开关性能
- 短路能力
- 优秀的性能
- 低开关与传导损耗
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
483W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极-发射极饱和电压
2.4V
最大集电极发射电压
1.2kV
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00542