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IPB019N08N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB019N08N3GATMA1
库存编号1775520
也称为IPB019N08N3 G, SP000444110
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻1900µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散300W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPB019N08N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and dual-sided cooling. Optimized technology for DC/DC converters.
- Excellent gate charge
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
7引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IPB019N08N3GATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002