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IPB117N20NFDATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 84 A, 0.0117 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY48.390 (CNY54.6807) |
| 10+ | CNY34.210 (CNY38.6573) |
| 50+ | CNY24.870 (CNY28.1031) |
| 200+ | CNY24.180 (CNY27.3234) |
| 500+ | CNY23.490 (CNY26.5437) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB117N20NFDATMA1
库存编号2617439
产品范围OptiMOS FD
也称为IPB117N20NFD, SP001107232
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续84A
漏源接通状态电阻0.0117ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS FD
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 200V OptiMOS™ FD power-transistor
- N-channel, normal level
- Fast diode(FD) with reduced Qrr
- Optimized for hard commutation ruggedness
- Very low on-resistance RDS(on)
- 175°C operating temperature
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
84A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.0117ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
OptiMOS FD
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001638