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IPD053N06NATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 45 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.640 (CNY10.8932) |
| 50+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 100+ | CNY6.680 (CNY7.5484) |
| 500+ | CNY5.670 (CNY6.4071) |
| 1000+ | CNY4.900 (CNY5.537) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD053N06NATMA1
库存编号2480816
也称为IPD053N06N, SP000962138
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续45A
漏源接通状态电阻5300µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散83W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPD053N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143