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IPD079N06L3GBTMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.710 (CNY9.8423) |
| 10+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
| 100+ | CNY5.250 (CNY5.9325) |
| 500+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 1000+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 5000+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD079N06L3GBTMA1
库存编号2432728
也称为IPD079N06L3 G, SP000453626
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0079ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散79W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
IPD079N06L3GBTMA1 的替代之选
找到 4 件产品
产品概述
The IPD079N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
79W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0079ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000998