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IPD079N06L3GBTMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 50 A, 0.0079 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD079N06L3GBTMA1
库存编号2432728RL
也称为IPD079N06L3 G, SP000453626
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0079ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散79W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (08-Jul-2021)
IPD079N06L3GBTMA1 的替代之选
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产品概述
The IPD079N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
79W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (08-Jul-2021)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0079ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000998