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IPD80R280P7ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD80R280P7ATMA1
库存编号2750415RL
产品范围CoolMOS P7
也称为IPD80R280P7, SP001422596
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds800V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.28ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散101W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS P7
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
800V CoolMOS™ P7 power transistor. Recommended for hard and soft switching flyback topologies for LED lighting, low power chargers and adapters, audio, AUX power and industrial power. Also suitable for PFC stage in consumer applications and solar.
- Best-in-class FOM RDS(on)*Eoss; reduced Qg, Ciss and Coss
- Best-in-class DPAK RDS(on)
- Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
- Integrated Zener diode ESD protection
- Best-in-class CoolMOS™ quality and reliability
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Fully optimized portfolio
- Best-in-class performance, easy to drive and to parallel
- Better production yield by reducing ESD related failures
- Less production issues and reduced field returns
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
101W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
800V
漏源接通状态电阻
0.28ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS P7
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426