打印页面
IPG20N04S4L08ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0072 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N04S4L08ATMA1
库存编号2480842
也称为IPG20N04S4L-08, SP000705576
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0072ohm
漏源导通电阻P沟道0.0072ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道54W
耗散功率P沟道54W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPG20N04S4L-08 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for small loads control switching and body applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.0072ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
54W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0072ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
54W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005