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IPG20N06S2L35ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L35ATMA1
库存编号2443440
也称为IPG20N06S2L-35, SP000613718
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道65W
耗散功率P沟道65W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
65W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
65W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003