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IPG20N06S2L35ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S2L35ATMA1
库存编号2443440RL
也称为IPG20N06S2L-35, SP000613718
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压, Vds55V
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道55V
电流, Id 连续20A
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.028ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.028ohm
阈值栅源电压最大值1.6V
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
功耗 Pd65W
耗散功率N沟道65W
耗散功率P沟道65W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
55V
漏源电压Vds P沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
漏源导通电阻P沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
TDSON
功耗 Pd
65W
耗散功率P沟道
65W
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
55V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
0.028ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
65W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000141