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IPG20N06S4L14AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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|---|---|
| 1+ | CNY9.140 (CNY10.3282) |
| 10+ | CNY7.020 (CNY7.9326) |
| 100+ | CNY5.500 (CNY6.215) |
| 500+ | CNY4.800 (CNY5.424) |
| 1000+ | CNY4.090 (CNY4.6217) |
| 5000+ | CNY3.930 (CNY4.4409) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N06S4L14AATMA1
库存编号3816960
也称为SP001023846, IPG20N06S4L-14A
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.0116ohm
漏源导通电阻P沟道0.0116ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道50W
耗散功率P沟道50W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.0116ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
50W
产品范围
OptiMOS T2 Series
MSL
-
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.0116ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
50W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0006