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IPG20N10S4L22ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
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| 10+ | CNY10.770 (CNY12.1701) |
| 100+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 500+ | CNY6.590 (CNY7.4467) |
| 1000+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 5000+ | CNY5.300 (CNY5.989) |
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产品概述
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.02ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
60W
产品范围
OptiMOS T2 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000218