打印页面
IPG20N10S4L22ATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.02 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L22ATMA1
库存编号2725857RL
也称为IPG20N10S4L-22, SP000866570
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续20A
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.02ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.02ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.02ohm
晶体管封装类型TDSON
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数8引脚
功耗 Pd60W
耗散功率N沟道60W
耗散功率P沟道60W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ -T2 power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.02ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
60W
耗散功率P沟道
60W
产品范围
OptiMOS T2 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
20A
在电阻RDS（上）
0.02ohm
漏源通态电阻N沟道
0.02ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TDSON
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000218