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IPG20N10S4L35AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L35AATMA1
库存编号3958712
产品范围OptiMOS T2系列
也称为SP001091928, IPG20N10S4L-35A
技术数据表
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.070 (CNY11.3791) |
| 10+ | CNY7.940 (CNY8.9722) |
| 100+ | CNY5.570 (CNY6.2941) |
| 500+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 1000+ | CNY4.210 (CNY4.7573) |
| 5000+ | CNY3.910 (CNY4.4183) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L35AATMA1
库存编号3958712
产品范围OptiMOS T2系列
也称为SP001091928, IPG20N10S4L-35A
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.029ohm
漏源导通电阻P沟道0.029ohm
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道43W
耗散功率P沟道43W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2系列
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id P沟道
20A
漏源导通电阻P沟道
0.029ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
43W
产品范围
OptiMOS T2系列
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.029ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
43W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003