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IPG20N10S4L35AATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 100 V, 20 A, 20 A, 0.029 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L35AATMA1
库存编号3958712RL
产品范围OptiMOS T2系列
也称为SP001091928, IPG20N10S4L-35A
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPG20N10S4L35AATMA1
库存编号3958712RL
产品范围OptiMOS T2系列
也称为SP001091928, IPG20N10S4L-35A
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续20A
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道20A
在电阻RDS（上）0.029ohm
连续漏极电流 Id P沟道20A
漏源通态电阻N沟道0.029ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.029ohm
阈值栅源电压最大值1.6V
晶体管封装类型TDSON
功耗 Pd43W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道43W
耗散功率P沟道43W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS T2系列
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
电流, Id 连续
20A
连续漏极电流 Id N沟道
20A
连续漏极电流 Id P沟道
20A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.029ohm
晶体管封装类型
TDSON
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
43W
产品范围
OptiMOS T2系列
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
在电阻RDS（上）
0.029ohm
漏源通态电阻N沟道
0.029ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
43W
耗散功率N沟道
43W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003