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IPP65R110CFDXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, 通孔
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| 100+ | CNY30.490 (CNY34.4537) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPP65R110CFDXKSA1
库存编号2726071
产品范围CoolMOS CF2
也称为IPP65R110CFD, SP000895226
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续31.2A
漏源接通状态电阻0.11ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散277.8W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS CF2
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
IPP65R110CFDXKSA1 的替代之选
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产品概述
650V CoolMOS™ CFD7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in resonant switching PWM stages e.g. PC silverbox, LCD TV, lighting, server, telecom and solar.
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rds(on)*Qg and Eoss
- Easy to use/drive
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Halogen free according to IEC61249-2-21
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
31.2A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
277.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.11ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS CF2
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002