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IRF6717MTRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 38 A, 0.00125 ohm, DirectFET MX, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF6717MTRPBF
库存编号2781114
产品范围HEXFET
也称为SP001525458
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续38A
漏源接通状态电阻0.00125ohm
晶体管封装类型DirectFET MX
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散96W
针脚数5引脚
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MX package ideal for CPU Core DC-DC converters, LED, motor control and notebook.
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- Industry standard qualification level
- High current carrying capability
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
- Low conduction and switching losses
- Optimized for high frequency switching
- Optimized for sync. FET socket of sync. buck converter
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
38A
晶体管封装类型
DirectFET MX
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
96W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
25V
漏源接通状态电阻
0.00125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
5引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001