打印页面
IRF7328TRPBF
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7328TRPBF
库存编号2468014RL
也称为SP001565270
技术数据表
通道类型P通道
晶体管极性P沟道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续8A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.017ohm
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.017ohm
漏源导通电阻P沟道0.017ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值2.5V
功耗 Pd2W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Jan-2023)
IRF7328TRPBF 的替代之选
找到 1 件产品
产品概述
The IRF7328TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
- Trench technology
- Ultra low ON-resistance
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
8A
在电阻RDS（上）
0.017ohm
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.017ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
晶体管极性
P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.017ohm
晶体管封装类型
SOIC
功耗 Pd
2W
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005