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IRF7907TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0098 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7907TRPBF
库存编号2725920
产品范围HEXFET Series
也称为SP001566462
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道11A
连续漏极电流 Id P沟道11A
漏源通态电阻N沟道0.0098ohm
漏源导通电阻P沟道0.0098ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
Dual N-channel HEXFET® power MOSFET for POL converters in notebook computers, servers, graphics cards, game consoles and set-top box.
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Low gate charge
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Improved body diode reverse recovery
- 100% tested for RG
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
11A
漏源导通电阻P沟道
0.0098ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
11A
漏源通态电阻N沟道
0.0098ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074