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IRF9953TRPBF
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品概述
HEXFET® power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Generation V technology
- Ultra-low on-resistance
- Dual P-channel MOSFET
- Surface mount package
- Very low gate charge and switching losses
- Fully avalanche rated
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
2.3A
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.3A
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726