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IRF9953TRPBF
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9953TRPBF
库存编号2725931RL
产品范围HEXFET Series
也称为SP001555962
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续2.3A
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.165ohm
连续漏极电流 Id N沟道2.3A
连续漏极电流 Id P沟道2.3A
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1V
针脚数8引脚
功耗 Pd2W
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
产品概述
HEXFET® power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Generation V technology
- Ultra-low on-resistance
- Dual P-channel MOSFET
- Surface mount package
- Very low gate charge and switching losses
- Fully avalanche rated
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
2.3A
在电阻RDS（上）
0.165ohm
连续漏极电流 Id P沟道
2.3A
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1V
功耗 Pd
2W
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
汽车质量标准
-
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
2.3A
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726