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IRFHE4250DTRPBF
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 25 V, 25 V, 303 A, 303 A, 700 µohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFHE4250DTRPBF
库存编号2577175
也称为SP001564116
技术数据表
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道303A
连续漏极电流 Id P沟道303A
晶体管封装类型PQFN
针脚数32引脚
耗散功率N沟道156W
耗散功率P沟道156W
工作温度最高值150°C
产品范围FastIRFET HEXFET Series
合规-
技术规格
漏源电压Vds N沟道
25V
连续漏极电流 Id N沟道
303A
晶体管封装类型
PQFN
耗散功率N沟道
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压Vds P沟道
25V
连续漏极电流 Id P沟道
303A
针脚数
32引脚
耗散功率P沟道
156W
产品范围
FastIRFET HEXFET Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001